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IXFN100N50Q3
140
Fig. 7. Input Admittance
110
Fig. 8. Transconductance
100
T J = - 40oC
120
90
100
80
70
25oC
125oC
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
60
50
40
40
30
20
20
10
0
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
20
40
60
80
100
120
140
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
250
14
12
V DS = 250V
I D = 50A
I G = 10mA
200
10
150
100
T J = 125oC
8
6
T J = 25oC
4
50
2
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
100000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10000
1000
Ciss
Coss
100
10
250μs
1
T J = 150oC
1ms
100
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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